你這內存頻率2933還能正常開機說明已經超頻成功了，DDR4的內存標準電壓就是12，你的內存超頻過才12說明性能非常不錯，12的電壓長期使用也不會有問題的；綜上所述，對于大多數用戶來說，保持DDR4內存的電壓在12V到125V之間是比較安全的這樣可以保證系統(tǒng)穩(wěn)定運行，同時也不會對內存性能造成太大影響選擇合適的DDR4內存電壓需要綜合考慮主板CPU內存模塊和性能需求。

內存頻率提升范圍一般來說，DDR4內存的超頻頻率提升范圍在+10%至+30%之間這意味著，如果原始頻率為2400MHz，那么超頻后的頻率可能在2640MHz至3120MHz之間但請注意，這只是一個大致的范圍，實際超頻能力會受到多種因素的影響內存電壓調整在超頻過程中，適當增加內存電壓可以提高內存的穩(wěn)定性但；對于內存電壓的設定，18伏被認為是頻率最高時的合理選擇比如當你嘗試將DDR3內存超頻至3000MHz，最低的電壓要求應為18伏然而，如果長期使用，我們不建議電壓超過165伏，以確保內存的穩(wěn)定性和設備的壽命DDR4內存超頻至3000MHz則相對較為容易實現當然，對于同等頻率，DDR3內存的表現通常更強。

DDR3內存條的標準電壓通常為165V，而DDR4內存條的標準電壓為12V在增加電壓時，應逐漸增加，并每次增加后進行穩(wěn)定性測試，以避免過高的電壓損壞內存條內存條體質的影響內存條的超頻能力還受到其體質的影響，即內存條的物理特性和制造質量一些采用優(yōu)質芯片的內存條具有更好的超頻能力綜上所；DDR4的顆粒普遍都能耐受145V以內的電壓，專門的超頻顆粒甚至可以耐受17V以內的電壓三星BDie，鎂光C9系列等等，147V不會有什么問題 超4000基本不需要這么高的電壓，14143就足夠了，除非你還想同時把時序壓下去才需要給很高的電壓。

對于DDR3內存條，其標準電壓通常為165V，在超頻時可以嘗試適當增加電壓，但不應超過安全范圍對于DDR4內存條，其標準電壓可能有所不同，在超頻時同樣需要遵循相應的電壓限制內存條體質的影響內存條的體質對超頻能力有很大影響一些采用優(yōu)質芯片的內存條具有更好的超頻潛力和穩(wěn)定性總結在超頻內；正常ddr4的電壓是12伏，有的ddr4高頻內存條電壓是135伏ddr4的安全電壓范圍是1218，但是不排除垃圾顆粒和邊角料不能承受高壓，建議如無必要，電壓不要超過15v。

在進行內存條超頻時，通常需要調整電壓以頻率為主要調整目標時，可以適當調節(jié)cl值，如果出現不穩(wěn)定的情況，可以適當增加總值，即時序四項中的最后一項當內存條接近其基本最大頻率時，可以通過增加電壓來進一步提升頻率對于DDR3內存條，其標準電壓為165V，而DDR4內存條的標準電壓則為12V值得注意；內存超頻時序設置參數介紹1ddr4內存時序參數3200168G×16，CL 161616 135V為好，默認DDR4 2133，12V，加載XMP可以直接提升頻率為DDR4 3200 16161636 2T，高頻下的電壓為135V2ddr4內存不動第一時序就盡量不動第一時序，首先應該從調整第二時序入手，放大tRFCtREF一般可以。

就按原廠高頻條的135v就行，現在的大部分普條都能超到2933，其實那些高頻條也都是廠家超上去的，ddr4顆粒在14v之內都是安全電壓，通常135v比較合適，高了作用也不大；Intel平臺DDR4四條內存超頻的教程要點如下提升穩(wěn)定性與效率安全設置確保內存設置在安全范圍內，進行烤機測試時，內存占用不超過1024MB，推薦3+小時無錯誤運行，或使用TM5內存驗證工具進行壓力測試專業(yè)烤機在TM5烤機時，以管理員身份運行，加載配置，測試圈數保持在35圈，確保無錯誤效率提升秘籍硬件選擇推薦芝。

內存條不同品牌和型號的內存條有略微不同的要求，但都在這個范圍內在超頻或高性能操作時，某些高端內存條需要更高的電壓來提供穩(wěn)定性和性能增益；一般來說，DDR4內存的標準工作電壓通常為12V，而DDR3內存的標準工作電壓則是15V不過，也存在一些低電壓版的DDR3內存，其工作電壓可以低至135V另外，對于高頻的DDR4內存，其工作電壓可能會提高到135V左右在超頻的情況下，電壓可能會進一步提高，但要控制在合理范圍內，并且需要確保良好的散。

不可以根據京東查詢ddr4內存條的產品參數信息顯示，該內存條的出場額定電壓一般是12，所以ddr4內存電壓165不可以長期使用，長期使用會影響內存條的壽命內存條的電壓要注意常頻率的DDR4內存電壓一般是12V，不過很多高頻內存實際上是超頻使用的，使用更高的135V左右電壓，如果主板沒能正確識別高頻。